[发明专利]一种铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成方法有效
| 申请号： | 202011495143.6 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112645308B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘志亮;杨飘萍;李至;赵颖;赵旭东;陈顺鹏;贺飞;郑捷;李星国 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学;北京大学 |
| 主分类号： | C01B32/15 | 分类号： | C01B32/15;C01B33/021;B82Y30/00;B82Y40/00;C22C1/08;B22F9/24 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成方法，它属于纳米材料合成技术领域。本发明要解决现有利用多种改性手段相结合的方式改性硅材料，存在需要复杂的多步反应和高温加热的反应条件，导电性低，掺杂效果不均匀，制备的多孔结构分布和大小不均匀的问题。制备方法：一、将硅化镁、氯化亚铜、氯化锡、氯化硅及碳基材料球磨；二、室温下，将球磨后的混合物浸渍于盐酸中，再利用乙醇和水的混合液为洗涤液进行洗涤，然后离心分离及干燥。本发明用于铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 均匀 复合 多孔 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学;北京大学，未经哈尔滨工程大学;北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011495143.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
