[发明专利]芯片的切割方法及芯片的转移方法有效
| 申请号： | 202011493911.4 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112967928B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王涛;张雪梅 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种芯片的切割方法及芯片的转移方法。该切割方法包括以下步骤：提供暂存基材，在暂存基材的一侧覆盖缓冲层；提供表面具有多个芯片的第一基板，将芯片与缓冲层贴合，至少部分缓冲层位于芯片与暂存基材之间；顺序对第一基板进行划片和裂片，以使位于第一基板上相邻的芯片分离。在裂片过程中的应力释放能够共同作用在上述缓冲层和芯片，从而减少了芯片受到的应力，缓解了由于应力释放不均匀而导致的暂存基材的弯曲，进而避免了在裂片工艺中斜裂、双胞等异常现象的发生，提高了工艺良率，有利于芯片的微小化。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 切割 方法 转移 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
