[发明专利]基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法在审
| 申请号： | 202011489030.5 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112607702A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 葛晓明;李成果;尹雪兵;曾巧玉;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法，包括：对生长在衬底上的GaN基HEMT器件进行清洗和烘干；所述GaN基HEMT器件是Ga极性的；将酚醛树脂胶旋涂到所述GaN基HEMT器件上，使所述酚醛树脂胶形成多层胶粘层，并所述多层胶粘层的胶层总厚度大于厚度阈值；对所述GaN基HEMT器件先后进行温度为第一加热阈值、第二加热阈值的热烘，完成固化；将所述衬底从所述GaN基HEMT器件上去除，把所述GaN基HEMT器件转移到去离子水中进行清洗；对所述GaN基HEMT器件进行倒装完成极性转化后，将所述GaN基HEMT器件转移到新的柔性衬底上。本发明实施例通过引入一定厚度的胶粘层，支撑和保护GaN基HEMT器件在衬底剥离和整个柔性转移的过程中不被应力破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 胶粘 gan hemt 器件 柔性 转移 方法 | ||
【主权项】：
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