[发明专利]基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元在审
| 申请号： | 202011487938.2 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112614524A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨东;陈思为 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C11/412 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 王倩 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元，本设计由9个晶体管和4个阻变电阻组成。该存储单元可将阻变电阻的阻值高低转换为电平的高低，具有多次编程、信息加载速度快等特点，并且具有抗单粒子翻转(SEU)的抗辐照性能。可应用于非易失存储器件、可编程逻辑器件的配置信息存储等。可用较小的面积实现高性能且具备抗单粒子翻转的抗辐照非易失存储单元。利用阻变电阻，上电时可把信息从存储电阻快速读入存储单元。本设计基于阻变电阻的电学特性实现。由9个晶体管和4个阻变存储电阻组成的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电阻 非易失抗 辐射 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所，未经中国电子科技集团公司第四十七研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011487938.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种射流式冲砂装置
- 下一篇：一种鲜花切割去刺并捆绑的包装台
