[发明专利]一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法在审

专利信息
申请号: 202011485427.7 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112599613A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 王鑫;杜永超;欧伟;铁剑锐;梁存宝;孙希鹏;李晓东;肖志斌 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法,包括腐蚀以锗为衬底的外延片,用真空法在外延片的非有源表面制备金接触层和银层,用电镀法在银层上制备银加厚层,最后进行将制备好银加厚层的外延片进行热处理,得到与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极。本发明的有益效果是:该电极能够采用真空法(真空蒸镀法或磁控溅射法等)和非真空法(电镀法等液相生长薄膜的方法)相结合进行制备,能提高材料利用率、降低生产成本、在不采购大型设备的前提下提高产能;能够实现电极和衬底材料间形成欧姆接触,并且接触面间牢固度满足空间使用要求;产品可靠性高。
搜索关键词: 一种 结合 空间 用砷化镓 太阳电池 电极 制备 方法
【主权项】:
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