[发明专利]一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法在审
申请号: | 202011485427.7 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN112599613A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 王鑫;杜永超;欧伟;铁剑锐;梁存宝;孙希鹏;李晓东;肖志斌 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法,包括腐蚀以锗为衬底的外延片,用真空法在外延片的非有源表面制备金接触层和银层,用电镀法在银层上制备银加厚层,最后进行将制备好银加厚层的外延片进行热处理,得到与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极。本发明的有益效果是:该电极能够采用真空法(真空蒸镀法或磁控溅射法等)和非真空法(电镀法等液相生长薄膜的方法)相结合进行制备,能提高材料利用率、降低生产成本、在不采购大型设备的前提下提高产能;能够实现电极和衬底材料间形成欧姆接触,并且接触面间牢固度满足空间使用要求;产品可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 结合 空间 用砷化镓 太阳电池 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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