[发明专利]一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法

权利要求书

1.一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，包括：

在以锗为衬底的外延片的有源层表面涂覆光刻胶；

将所述外延片置于稀盐酸溶液中腐蚀一定时间，取出所述外延片，置于去离子水中冲洗；

将冲洗后的所述外延片放置在混合酸溶液中腐蚀一定时间，将腐蚀后的所述外延片取出，在去离子水中浸泡一定时间，冲洗，冲洗后去除所述光刻胶；

用真空法在腐蚀后的所述外延片的非有源层表面上制备金接触层和银层；

将制备好所述金接触层和银层的所述外延片非制备电极面进行保护后将其固定在阴极板上，将所述阴极板浸入电解槽中，在所述银层表面通过电镀银加厚层，电镀完成后进行干燥处理；

将电镀完所述银加厚层的所述外延片置于真空烧结炉内，加热至一定温度后恒温一段时间，冷却至室温后取出，得到与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极。

2.根据权利要求1所述的一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，其特征在于：所述真空法包括蒸镀法，具体步骤为将腐蚀后的所述外延片置于蒸镀夹具上，放入真空镀膜机中，抽真空后进行烘烤，烘烤完成后蒸镀所述金接触层，蒸镀完成后继续蒸镀所述银层。

3.根据权利要求2所述的一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，其特征在于：腐蚀后的所述外延片进行烘烤时温度为90～110℃，烘烤8～12min；所述金接触层蒸镀速率为1.5～2.5nm/s，蒸镀厚度为100～140nm；所述银层蒸镀速率为0.8～1.2nm/s，蒸镀厚度设为40～60nm。

4.根据权利要求1所述的一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，其特征在于：所述真空法还包括磁控溅射法，具体步骤为将腐蚀后的所述外延片放入真空室中抽真空后进行烘烤，烘烤完成后溅射所述金接触层，溅射完成后继续溅射所述银层。

5.根据权利要求4所述的一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，其特征在于：腐蚀后的所述外延片进行烘烤时温度为90～110℃，烘烤8～12min；所述金接触层溅射生长速率为1.5～2.5nm/s，厚度设为100～140nm；所述银层溅射生长速率为0.8～1.2nm/s，厚度设为40～60nm。

6.根据权利要求1所述的一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，其特征在于：所述稀盐酸溶液为5％稀盐酸溶液，所述外延片在所述稀盐酸溶液中浸泡55～65s，冲洗多次至干净；所述混合酸溶液为HF:HNO₃:H₂O体积比为2:1:10的混合溶液，冲洗后的所述外延片在所述混合酸溶液中浸泡28～32s，在所述去离子水中先浸泡9～11min，冲洗多次至干净。

7.根据权利要求1所述的一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，其特征在于：将制备好所述金接触层和所述银层并且另一面做好保护层的所述外延片的电池区域浸入所述电解槽中的电解液中，所述阴极板上的金属夹保持在所述所述电解液的液面上方。

8.根据权利要求1所述的一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，其特征在于：电镀所述银加厚层时，温度为22～28℃，速度为2～3μm/h，所述银加厚层厚度为4.5～5.5μm；电镀完成后用去离子水冲洗多次至干净，再用无水乙醇脱水烘干。

9.根据权利要求1所述的一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，其特征在于：将电镀完所述银加厚层的所述外延片置于所述真空烧结炉内，加热至335～345℃，恒温18～22min。