[发明专利]一种高密度ITO靶的制备工艺在审
| 申请号： | 202011482787.1 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112645707A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 唐安泰 | 申请（专利权）人： | 株洲火炬安泰新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/645;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 杨千寻;杜梅花 |
| 地址： | 412000 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度ITO靶的制备工艺，所述ITO靶材制备原材料为ITO粉末，将ITO粉末进行定量配制，并进行ITO靶材的制备工艺；所述制备工艺流程如下：还原阶段、制坯阶段、高温加压阶段、冷却排压阶段和高温煅烧阶段，高温烧结完成后的ITO靶材在经过高温加压、冷却排压阶段，实现内部热胀冷缩目的，使得晶体之间缝隙缩小，提高成型后的ITO靶材密度。本发明采用高温加压提高初坯中分子活性，比配合加压，将初坯粉末之间进行挤压，并后续进行冷却，通过热胀冷缩原理，再度将粉末之间的间隙再度缩小，配合加热进行成型，随后进行高温烧结，能够制成密度更高的ITO靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 ito 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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