[发明专利]金属钴互连层和接触孔层的形成方法有效
| 申请号： | 202011479297.6 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112582340B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张文广;朱建军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属钴互连层和接触孔层的形成方法，包括提供一含有互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；对介质层进行光刻刻蚀工艺，形成通孔层；采用选择性钨沉积工艺对所述通孔层进行钨沉积，以使金属钨填充通孔层中的通孔，以形成通孔的第一部分；采用ALD或CVD工艺沉积一TIN粘结层，以及采用CVD钨工艺使金属钨填充满通孔层中的通孔，以形成通孔的第二部分；采用ALD或CVD工艺沉积一TIN粘结层，以及采用CVD钨工艺使金属钨填充满通孔层中的通孔，以形成通孔的第二部分，用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除TIN粘结层。本发明通过用选择性钨沉积工艺部分填充通孔层中的通孔，用后续沉积的TIN粘结层来阻挡CMP研磨液的渗透，解决了7nm及以下节点钴缺失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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