[发明专利]一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路在审
| 申请号： | 202011473394.4 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112649714A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 雷建明 | 申请（专利权）人： | 南京工业职业技术大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 项磊 |
| 地址： | 210001 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，包括GaN HEMT器件器件电路、电流源电路、动态导通电阻提取电路和运放差分电路，可通过探测器件漏极电压推算得到，通过器件漏源极的高频电流，省去了电流探测器，避免了电流探测器带来的损耗，减小了电路环路面积。该方法还能有效地将GaN HEMT器件的自热效应及其独有的俘获效应解嵌，从而获得高精度的电流探测结果，能够广泛地运用于高频功率电子线路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ganhemt 器件 高频 无损 周期 电流 检测 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京工业职业技术大学，未经南京工业职业技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011473394.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
