[发明专利]P型栅HEMT器件有效
| 申请号： | 202011463725.6 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112670340B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 化梦媛;陈俊廷 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄广龙 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型栅HEMT器件。包括：由下至上依次设置有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；第一P型材料层设置在势垒层上，第一源极和第一漏极设置在第一P型材料层两侧；第一导电层设置在第一P型材料层上；第二P型材料层与第一P型材料层连接；第二导电层连接第二P型材料层；第三导电层连接第二P型材料层；第一P型材料层、第一源极、第一漏极和第一导电层用于构成常关型N沟道晶体管；第二P型材料层、第二导电层和第三导电层用于构成常开型P沟道晶体管。通过在GaN HEMT的基础上设置P沟道常开型晶体管,增大了阈值电压和其调节范围，且消除了原P型栅GaN HEMT栅区中的P型材料层中，由等效电荷总量变化所引入的阈值漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 型栅 hemt 器件 | ||
【主权项】：
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