[发明专利]CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 202011463350.3 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112599549A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈翔;许隽;金立培 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种CMOS图像传感器。所述CMOS图像传感器包括：像素区，所述像素区包括光电二极管，所述光电二极管上覆盖有金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层包括富硅氧化物；所述光电二极管的源漏区的表层形成耗尽层，所述耗尽层与所述金属硅化物阻挡层接触。本申请提供的CMOS图像传感器，能够缓解因杂质离子过量而引起的白色像素问题，同时该金属硅化物阻挡层能够有效地防止外部金属离子进入该像素区，防止因金属离子进入像素区而引起的白色像素问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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