[发明专利]采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202011462789.4 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112635327A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 唐怡 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成P阱、N阱、NMOS和PMOS的栅极结构、NMOS和PMOS的源漏注入；步骤二、沉积具有张应力的应力记忆层；步骤三、形成图形结构将NMOS的形成区域中应力记忆层覆盖以及将PMOS的形成区域中的应力记忆层表面打开；步骤四、进行应力消除离子注入以消除PMOS的形成区域中的应力记忆层的张应力；步骤五、去除图形结构，之后进行退火工艺，退火工艺同时源漏激活和应力记忆层的应力转移。本发明能在采用应力记忆技术提升NMOS的沟道区的拉应力的同时防止对PMOS的沟道区的应力产生不利影响，能提升NMOS的速度同时避免PMOS的速度降低，同时还能降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 应力 记忆 技术 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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