[发明专利]用于蚀刻薄层的装置在审
| 申请号： | 202011458413.6 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN113066737A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金源根;金泰信 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 洪磊 |
| 地址： | 韩国忠清南道天*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于蚀刻薄层的装置，包括：蚀刻剂供给单元，其构成为于基板上供给蚀刻剂以蚀刻形成在所述基板上的薄层；温度测量单元，其构成为在通过所述蚀刻剂执行蚀刻过程时测量所述基板的温度；激光照射单元，其构成为在包含所述基板的中央部分的第一部分上照射第一激光束，并且在围绕所述第一部分的第二部分上以环形照射第二激光束，从而在蚀刻过程中将所述基板的温度保持于预定温度；以及过程控制单元，其构成为基于由所述温度测量单元所测量的所述基板的温度来控制所述第一激光束和所述第二激光束的功率，以减小所述基板的所述第一部分和所述第二部分之间的温度差。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 薄层 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
