[发明专利]MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统在审
| 申请号： | 202011452068.5 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112614536A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;邵瑾;陈燕宁;曹凯华;周芝梅;袁远东;潘成;付振 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网思极紫光（青岛）微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;王晓晓 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。 | ||
| 搜索关键词： | mram 存储 阵列 温度 检测 方法 控制 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网思极紫光（青岛）微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学，未经北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网思极紫光（青岛）微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011452068.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
