[发明专利]SiC MOSFET串扰电压的计算、寄生参数提取和驱动参数整定方法有效
| 申请号： | 202011443593.0 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112491253B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘恒阳;孔武斌;曲荣海;涂钧耀 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;G01R31/28 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 胡秋萍;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开SiC MOSFET串扰电压的计算、寄生参数提取和驱动参数整定方法，属于宽禁带半导体器件驱动技术领域。本发明所构思的技术方案，简化了考虑共源电感的SiC MOSFET串扰电压模型，并将其与实际串扰电压抑制方法结合，通过优化求解的方法找到串扰电压抑制效果最好的驱动回路集中参数组合，大大减少了硬件调试阶段因反复更换元件进行双脉冲测试所消耗的时间与器件，提高硬件设计效率，简化参数整定流程。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 电压 计算 寄生 参数 提取 驱动 方法 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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