[发明专利]一种半浮空结构的SiC SBD器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011432028.4 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112687750B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;张清纯 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半浮空结构的SiC SBD器件及其制备方法。该SiC SBD器件包括有源区和非有源区，其中有源区和非有源区包括第一掺杂类型的SiC衬底、在衬底上生长的第一掺杂类型的SiC外延层、在外延层表面注入形成的第二掺杂类型表面阱、阳极和阴极；其中，有源区的相邻第二掺杂类型阱中间为第一掺杂类型的JFET区域、JFET区域的下方的位置为第二掺杂类型的浮空掺杂区域；非有源区的相邻第二掺杂类型阱中间下方位置设置第二掺杂类型表面阱以及浮空掺杂区域与有源区中对应区域内部连通。本发明的半浮空结构的SiC SBD器件能够限制反偏时肖特基接触表面的电场强度，从而减小其反向漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半浮空 结构 sic sbd 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011432028.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种车载5G、NR天线
- 下一篇：一种加热雷达盖板
- 同类专利
- 专利分类
