[发明专利]形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构在审
| 申请号： | 202011428320.9 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN113555279A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | P.H.雅拉;W.克纳彭;D.皮尔鲁克斯;B.琼布洛德;P.阿努;R-J.常;谢琦;G.A.弗尼;G.范德斯塔 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/49;C23C16/455;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及形成含氮化钒的层的方法。所述方法包括在反应器的反应腔室内提供基板以及向基板的表面上沉积含氮化钒的层，其中沉积工艺包括向反应腔室提供钒前体以及向反应腔室提供氮前体。本公开还涉及包含含氮化钒的层的结构和器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氮化 方法 包含 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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