[发明专利]一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池及其制备方法在审
申请号: | 202011419766.5 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN113410327A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 陈坤;谢毅;苏荣;李书森;管潇弦;李忠涌;王岚;王璞;李兵川;张静全;李卫 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 邓芸 |
地址: | 610213 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池及其制备方法,涉及新能源材料光伏发电技术领域,本发明包括表面制绒的硅衬底,所述硅衬底背表面依次沉积有背钝化层和背减反射钝化保护膜层,背减反射钝化保护膜层表面丝印有多主栅背面电极图形并激光刻槽,槽设置有格栅电极,所述硅衬底前表面沉积有N型掺杂层和前减反射钝化保护膜层,N型掺杂层设置有N+型重掺区,前减反射钝化保护膜层表面丝印有多主栅电池正面电极图形,多主栅电池正面电极图形上设置在有与N+型重掺区连接的Ag正电极;本发明具有结构简单,提高了制备电池的光电转换效率的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 mbb 结构 se 双面 perc 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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