[发明专利]一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池及其制备方法

权利要求书

1.一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池，包括表面制绒的硅衬底，其特征在于，所述硅衬底背表面依次沉积有背钝化层和背减反射钝化保护膜层，背减反射钝化保护膜层表面丝印有多主栅背面电极图形并激光刻槽，槽设置有格栅电极，所述硅衬底前表面沉积有N型掺杂层和前减反射钝化保护膜层，N型掺杂层设置有N+型重掺区，前减反射钝化保护膜层表面丝印有多主栅电池正面电极图形，多主栅电池正面电极图形上设置在有与N+型重掺区连接的Ag正电极。

2.根据权利要求1所述的一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池，其特征在于，所述前减反射钝化保护膜层表面丝印有12条主栅线，主栅线的线宽为1.3±0.05。

3.根据权利要求1所述的一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池，其特征在于，所述背钝化层为氧化铝层，背钝化层为厚度3～50nm的Al2O3背钝化层，背减反射钝化保护膜层为厚度100～150nm背面氮化硅减反射钝化保护膜层，前减反射钝化保护膜层为厚度70～95nm的氮化硅减反射钝化保护膜层。

4.根据权利要求1所述的一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池，其特征在于，所述前减反射钝化保护膜层表面丝印和背减反射钝化保护膜层表面丝印均设置有细栅，主栅边缘为鱼叉的形状，主栅鱼叉部分能够接触到最边缘细栅。

5.根据权利要求1所述的一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池的其制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、使用复合化学腐蚀溶液对硅衬底进行前清洗和表面制绒；

步骤2、将步骤1的硅衬底置于840℃～870℃的管式扩散炉中，使用POCl3液态源对所述硅衬底进行扩散，通过四步通源法扩散工艺，制作出高杂质浓度的PSG层和160±8Ω的方块电阻，正面杂质扩散浓度均匀性低于5％；

步骤3、使用波长为532nm的激光辐照，按照多主栅电池正面电极图形设计SE激光掺杂图形，进行激光局域烧蚀，在所述硅片的辐照区实现磷的重掺杂而形成N-type高浓度发射极，制备得到初步的选择性发射结结构；

步骤4、匹配HF和HNO3混合液，对步骤3中所得硅衬底表面发射结和N+发射极层进行刻蚀，去除硅衬底表面高杂质浓度PSG层，同时去除背部多余PN结回路、对背表面适度抛光；

步骤5、按PERC工艺流程完成氧化退火，制备3～50nm的Al2O3背钝化层及100～150nm背面氮化硅减反射钝化保护膜层，翻转电池片正面PECVD沉积膜厚70～95nm的氮化硅减反射钝化保护膜层；

步骤6、在背面氮化硅减反射钝化保护膜层上，按照丝网印刷背面电极图形设计多主栅背面激光开槽图形，并做激光刻槽；

步骤7、丝网印刷一、二、三、四道使用12BB电池专用网版，在网印二、三、四道增加对位相机、升级对位软件，确保正、背面栅线精确印刷到SE区、背面激光开槽区，同时匹配12BB+SE+PREC单晶正电极专用浆料，低温快速烧结退火形成低电阻导出电极；

步骤8、订制12BB专用测试机台，完成12BB探针架改造升级，用12BB标片校准，并通过动态测试，完成12BB电池EL测试改造升级，在线测试12BB电池片电性能和EL，完成效率分档及外观检验，完成SE双面PERC电池的制备过程。

6.根据权利要求5所述的一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池的其制备方法，其特征在于，步骤1中，所述复合化学腐蚀液是由HF、HNO3、H2SO4、KOH、NaOH、Na2SiO3和DI-water制成，同时向复合化学腐蚀液加入添加剂，添加剂为异丙醇、(NH4)2S2O4、N2H4·H2O一种或多种。