[发明专利]一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池及其制备方法，涉及新能源材料光伏发电技术领域，本发明包括表面制绒的硅衬底，所述硅衬底背表面依次沉积有背钝化层和背减反射钝化保护膜层，背减反射钝化保护膜层表面丝印有多主栅背面电极图形并激光刻槽，槽设置有格栅电极，所述硅衬底前表面沉积有N型掺杂层和前减反射钝化保护膜层，N型掺杂层设置有N+型重掺区，前减反射钝化保护膜层表面丝印有多主栅电池正面电极图形，多主栅电池正面电极图形上设置在有与N+型重掺区连接的Ag正电极；本发明具有结构简单，提高了制备电池的光电转换效率的优点。

技术领域

本发明涉及新能源材料光伏发电技术领域，更具体的是涉及一种采用MBB主栅结构的SE 双面PERC电池及其制备方法技术领域。

背景技术

光伏发电是通过半导体的光生伏打效应，将太阳光能转化为电能再供给用户使用的一种 可再生能源利用方式。光伏发电可以降低石化能源使用比例，从而减少碳排放，改善环境， 通过十多年技术追赶已逐步成为可与欧美、日等发达国家相匹敌的新兴战略制造业；但由于 当前光利用率偏低和技术路线、设备辅材成本居高，光伏发电还不能达到与传统化石能源相 同的度电成本及售价，光伏电力只有降低度电成本才能扩大应用范围，实现“平价上网”的 终极目标。

而其实现的主要路径就是通过产品研发、技术升级以提高太阳电池光电转换效率、降低 制造端成本。PERC电池是使用比较广泛的电池，PERC电池(PassivatedEmitterand Rear Cel l)，是电池的一种结构最早起源于上世纪八十年代，1989年由澳洲新南威尔士大学的 MartinGreen研究组在Applied Physics Letter首次正式报道了PERC电池结构，当时达到 22.8％的实验室电池效率。

但是现有单面PERC电池存在光电转换利用率较低的技术问题，如何解决现有单面PERC 电池存在光电转换利用率较低的问题成了本领域技术人员的努力方向。

发明内容

本发明的目的在于：为了解决现有单面PERC电池存在光电转换利用率较低的技术问题， 本发明提供一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池及其制备方法。

本发明为了实现上述目的具体采用以下技术方案：

一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池，包括表面制绒的硅衬底，所述硅衬底背表面依次沉积有背钝化层和背减反射钝化保护膜层，背减反射钝化保护膜层表面丝印有多主 栅背面电极图形并激光刻槽，槽设置有格栅电极，所述硅衬底前表面沉积有N型掺杂层和前 减反射钝化保护膜层，N型掺杂层设置有N+型重掺区，前减反射钝化保护膜层表面丝印有多 主栅电池正面电极图形，多主栅电池正面电极图形上设置在有与N+型重掺区连接的Ag正电 极。

进一步地，所述前减反射钝化保护膜层表面丝印有12条主栅线，主栅线的线宽为1.3 ±0.05。

进一步地，所述背钝化层为厚度3～50nm的Al2O3背钝化层，背减反射钝化保护膜层为 厚度100～150nm背面氮化硅减反射钝化保护膜层，前减反射钝化保护膜层为厚度70～95nm的 氮化硅减反射钝化保护膜层。

进一步地，所述前减反射钝化保护膜层表面丝印和背减反射钝化保护膜层表面丝印均设 置有细栅，主栅边缘为鱼叉的形状，主栅鱼叉部分能够接触到最边缘细栅。

一种采用MBB主栅结构的SE双面PERC电池的其制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、使用复合化学腐蚀溶液对硅衬底进行前清洗和表面制绒；

步骤2、将步骤1的硅衬底置于840℃～870℃的管式扩散炉中，使用POCl3液态源对所 述硅衬底进行扩散，通过四步通源法扩散工艺，制作出高杂质浓度的PSG层和160±8Ω的方 块电阻，正面杂质扩散浓度均匀性低于5％；