[发明专利]一种大容量Flash存储器读写操作的设计方法在审

专利信息
申请号: 202011405696.8 申请日: 2020-12-04
公开(公告)号: CN112596670A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 赵振涌;尹寿宝;储昭华;郑华银 申请(专利权)人: 北京自动化控制设备研究所
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100074 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种大容量Flash存储器读写操作的设计方法,所述方法包括:S1、基于Flash存储器的当前位置指针和读写数据的长度确定Flash存储器的扩展页操作范围表;S2、基于扩展页操作范围表获取读写数据的起始页号,并将起始页号设置为当前页号;S3、基于扩展页操作范围表获取当前页的起始地址与结束地址;S4、设置当前页的高位地址线;S5、基于当前页的起始地址与结束地址和当前页的高位地址线,对当前页的数据进行连续读写操作;S6、基于扩展页操作范围表获取读写数据的结束页号,并判断当前页号是否等于结束页号,若是,则结束读写操作,否则,对当前页号加1,并返回S3。本发明的方法能够解决现有的大容量Flash存储器读写效率低且存在安全风险的技术问题。
搜索关键词: 一种 容量 flash 存储器 读写 操作 设计 方法
【主权项】:
暂无信息
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