[发明专利]一种大容量Flash存储器读写操作的设计方法在审
| 申请号: | 202011405696.8 | 申请日: | 2020-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN112596670A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
| 发明(设计)人: | 赵振涌;尹寿宝;储昭华;郑华银 | 申请(专利权)人: | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100074 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 容量 flash 存储器 读写 操作 设计 方法 | ||
本发明提供了一种大容量Flash存储器读写操作的设计方法,所述方法包括:S1、基于Flash存储器的当前位置指针和读写数据的长度确定Flash存储器的扩展页操作范围表;S2、基于扩展页操作范围表获取读写数据的起始页号,并将起始页号设置为当前页号;S3、基于扩展页操作范围表获取当前页的起始地址与结束地址;S4、设置当前页的高位地址线;S5、基于当前页的起始地址与结束地址和当前页的高位地址线,对当前页的数据进行连续读写操作;S6、基于扩展页操作范围表获取读写数据的结束页号,并判断当前页号是否等于结束页号,若是,则结束读写操作,否则,对当前页号加1,并返回S3。本发明的方法能够解决现有的大容量Flash存储器读写效率低且存在安全风险的技术问题。
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种大容量Flash存储器读写操作的设计方法。
背景技术
当前导航计算机对大容量Flash存储器的需求越来越大,导航计算机所用处理器大多为C6713、OMAP-L138或Zynq-7000,由于处理器片选空间大小的限制,设计时需通过IO操作控制Flash存储器的高位地址线(又叫扩展页,下同)的方式来实现对大容量Flash存储器的读写访问。
目前,每次对Flash存储器进行访问时,都需要IO操作控制Flash存储器的高位地址线,这样的操作方式,不仅执行效率低,而且存在潜在的安全风险。
发明内容
本发明提供了一种大容量Flash存储器读写操作的设计方法,能够解决现有的大容量Flash存储器读写效率低且存在安全风险的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种大容量Flash存储器读写操作的设计方法,所述方法包括:
S1、基于Flash存储器的当前位置指针和读写数据的长度确定Flash存储器的扩展页操作范围表,其中,扩展页操作范围表包括:读写数据的起始页号、读写数据的结束页号和每个扩展页的起始地址与结束地址;
S2、基于扩展页操作范围表获取读写数据的起始页号,并将起始页号设置为当前页号;
S3、基于扩展页操作范围表获取当前页的起始地址与结束地址;
S4、设置当前页的高位地址线;
S5、基于当前页的起始地址与结束地址和当前页的高位地址线,对当前页的数据进行连续读写操作;
S6、基于扩展页操作范围表获取读写数据的结束页号,并判断当前页号是否等于结束页号,若是,则结束读写操作,否则,对当前页号加1,并返回S3。
优选的,基于Flash存储器的当前位置指针和读写数据的长度确定Flash存储器的扩展页操作范围表包括:
基于Flash存储器的当前位置指针确定读写数据的起始页号;
基于读写数据的起始页号和读写数据的长度确定读写数据的结束页号;
基于读写数据的起始页号、读写数据的结束页号和每个扩展页的起始地址和结束地址确定Flash存储器的扩展页操作范围表。
应用本发明的技术方案,通过Flash存储器的当前位置指针和读写数据的长度确定Flash存储器的扩展页操作范围表,实现了同一扩展页只设置一次Flash高位地址线,以避免多次重复设置Flash高位地址线,从而消除了数据读写过程中的冗余操作,减少了处理器的执行时间,提高了处理器的执行效率,降低了安全风险。本发明的设计方法通过调整总扩展页数,可应用于不同容量的Flash存储器,同时本发明具有构思巧妙,流程简单,移植方便和易于推广等优点。
附图说明
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