[发明专利]一种锗硅雪崩光电探测器有效
| 申请号： | 202011403965.7 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112531067B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 宋俊峰;王欣伟;李雨轩;刘晓斌;李雪妍;郜峰利 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锗硅雪崩光电探测器，包括：雪崩放大区；分别与所述雪崩放大区接触的第一欧姆接触层和电荷收集区；与所述电荷收集区连接的控制栅结构；其中，所述控制栅结构用于控制所述电荷收集区的势垒高度。也就是说，该锗硅雪崩光电探测器基于所述控制栅结构，通过调节栅极电压来控制电荷收集区的势垒高度，使只有暗电流中的载流子堆积势能高于某一势垒时才允许通过，进而降低锗硅雪崩光电探测器的暗电流，提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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