[发明专利]无引脚DFN封装器件的封装工艺有效
| 申请号： | 202011403562.2 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112420532B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 | 申请（专利权）人： | 西安航思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/29;C08L63/00;H01B3/40;C08G59/62;C08G59/42;C08G59/50 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 710300 陕西省西安市鄠*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路器件的封装工艺，所述器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上；包括以下步骤：S1.先将硅微粉80份和阻燃剂10份与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份混合均匀，进行表面处理；S2.再加入环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份和脱模剂3份，混合均匀。本发明方法制备得到的器件有效避免了气孔导致的导热性能降低进而引起电性方面的失效的问题，内部气孔的发生率低。 | ||
| 搜索关键词： | 引脚 dfn 封装 器件 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安航思半导体有限公司，未经西安航思半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011403562.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种含有活性云母的组合物在抑菌活性中的应用
- 下一篇：一种多功能输液架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
