[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法和显示设备在审
| 申请号： | 202011403211.1 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112490294A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 袁宾;冯兵明;顾维杰;张振宇 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 魏朋 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法和显示设备，氧化物薄膜晶体管，包括设置于基板上的栅电极，栅电极上的绝缘层，绝缘层上的氧化物半导体层；以及氧化物半导体层上的源电极和漏电极；氧化薄膜晶体管中的氧化物半导体层在厚度方向上的氧空位浓度呈梯度变化，靠近绝缘层的氧化物半导体层的部分其氧空位浓度大于远离绝缘层的氧化物半导体层的部分的氧空位浓度，由此在靠近栅极一侧的部分氧化物半导体层载流子浓度高，提高了薄膜晶体管的电子迁移率，并且远离栅极一侧的部分氧化物半导体层由于氧空位浓度低而不容易受到水氧以及负偏压光照影响，提高了氧化物薄膜晶体管的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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