[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法和显示设备在审
| 申请号： | 202011403211.1 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112490294A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 袁宾;冯兵明;顾维杰;张振宇 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 魏朋 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 设备 | ||
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：
设置于基板上的栅电极；
所述栅电极上的绝缘层；
所述绝缘层上的氧化物半导体层；以及
所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；
其中，所述氧化物半导体层在厚度方向上的氧空位浓度呈梯度变化，靠近所述绝缘层的所述氧化物半导体层的部分其氧空位浓度大于远离所述绝缘层的所述氧化物半导体层的部分的氧空位浓度。
2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层包括前沟道区域和背沟道区域；位于所述背沟道区域且远离所述绝缘层的部分所述氧化物半导体层掺杂有氮元素。
3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料为金属氧化物半导体。
4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料为铟镓锌氧化物。
5.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的氧化物薄膜晶体管。
6.一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成栅极；
在所述栅极上形成绝缘层；
通过相同工艺，在不同的工艺条件下形成氧化物半导体层，以使所述氧化物半导体层在厚度方向上的氧空位浓度呈梯度变化，靠近所述绝缘层的所述氧化物半导体层的部分其氧空位浓度大于远离所述绝缘层的所述氧化物半导体层的部分的氧空位浓度；
在所述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过相同工艺，在不同的工艺条件下形成氧化物半导体层，以使所述氧化物半导体层在厚度方向上的氧空位浓度呈梯度变化，靠近所述绝缘层的所述氧化物半导体层的部分其氧空位浓度大于远离所述绝缘层的所述氧化物半导体层的部分的氧空位浓度包括：
通过第一溅射工艺，在第一气氛下形成第一部分氧化物半导体层，所述第一气氛为非氧气气氛；
在所述第一气氛基础上在第一预定时间内持续通入氧气，并执行第二溅射工艺，以形成第二部分氧化物半导体层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一气氛基础上在预定时间内持续通入氧气，并执行第二溅射工艺，以形成第二部分氧化物半导体层后，还包括：
在第二预定时间内持续通入氮气，并执行第三溅射工艺，以形成掺杂有氮元素的第三部分氧化物半导体层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一部分氧化物半导体层的厚度为所述第一气氛为氩气气氛。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二部分氧化物半导体层的厚度为所述第三部分氧化物半导体层的厚度为
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011403211.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
