[发明专利]一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料及其制备方法在审
| 申请号: | 202011400325.0 | 申请日: | 2020-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN112666789A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 徐根;李翼;李伟;周志刚;杨旭 | 申请(专利权)人: | 湖南普照信息材料有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/46;G03F1/44;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨威 |
| 地址: | 410205 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料,包括:玻璃基片;复合在所述玻璃基片上的相移层;复合在所述相移层上的铬氮化物遮光膜层;复合在所述铬氮化物遮光膜层上的铬氮氧化物减反射膜层;所述相移层为硅氧化物薄膜。与现有技术相比,本发明提供的衰减型高均匀的相移光掩膜坯料采用特定膜结构,实现较好的整体相互作用,从而使该相移光掩膜坯料兼具高均匀性和良好的显示效果,并且具有强的耐氢氟酸性,应用范围广。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 衰减 均匀 相移 光掩膜 坯料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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