[发明专利]一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料及其制备方法

权利要求书

1.一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料，包括：

玻璃基片；

复合在所述玻璃基片上的相移层；

复合在所述相移层上的铬氮化物遮光膜层；

复合在所述铬氮化物遮光膜层上的铬氮氧化物减反射膜层；

所述相移层为硅氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的衰减型高均匀的相移光掩膜坯料，其特征在于，所述玻璃基片选自钠钙玻璃基片、石英玻璃基片、硼硅玻璃基片或白冕玻璃基片；所述玻璃基片的平整度在30nm以内，在400nm～600nm波段范围内的透射率在90％以上。

3.根据权利要求1所述的衰减型高均匀的相移光掩膜坯料，其特征在于，所述相移层在KrF光源条件下，相移角为179°～181°，厚度为94nm～96nm，反射率为3±0.04％，光密度OD值为1.27～1.33。

4.根据权利要求1所述的衰减型高均匀的相移光掩膜坯料，其特征在于，所述铬氮化物遮光膜层与铬氮氧化物减反射膜层形成混合结构，其膜厚为58nm～62nm，反射率为11％～17％，蚀刻时间为32s～38s。

5.一种权利要求1～4任一项所述的衰减型高均匀的相移光掩膜坯料的制备方法，包括以下步骤：

a)将玻璃基片进行预处理，得到处理后的玻璃基片；

b)在步骤a)得到的处理后的玻璃基片上依次形成相移层、铬氮化物遮光膜层和铬氮氧化物减反射膜层，得到衰减型高均匀的相移光掩膜坯料；

所述相移层为硅氧化物薄膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述预处理的过程具体为：

将玻璃基片依次经过常温电子级氢氟酸浸泡20s～40s及35℃～45℃纯水漂洗8min～12min，之后用55℃～65℃的氮气烘干，得到处理后的玻璃基片；

所述电子级氢氟酸由质量比为1：(18～22)的HF和纯水配制而成。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述相移层的形成方式为中频磁控溅射；所述中频磁控溅射采用Si靶材，玻璃衬底温度为100℃～150℃，采用的制程气体为Ar、O₂，其比例按照Ar：O₂＝(1～2)：10的体积比执行，溅射气压为0.1Pa～0.2Pa。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述铬氮化物遮光膜层的形成方式为直流磁控溅射；所述直流磁控溅射采用铬靶，玻璃衬底温度为120℃～180℃，采用的制程气体为N₂，溅射压力为0.1Pa～0.4Pa。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述铬氮氧化物减反射膜层的形成方式为直流磁控溅射；所述直流磁控溅射采用铬靶，玻璃衬底温度为120℃～180℃，采用的制程气体为Ar、N₂、O₂，其比例按照Ar：N₂：O₂＝(2～5)：40：(2～20)的体积比执行。

10.根据权利要求5～9任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述形成相移层后，还包括：

采用纵横多点的测量方法，测量KrF光源下所述相移层的相移角的大小及均匀情况，对符合要求的相移层进行清洗及紫外光照射烘干处理，得到处理后的相移层。