[发明专利]周期渐变超晶格宽光谱红外探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011396734.8 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN114582996B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 蒋俊锴;牛智川;徐应强;王国伟;蒋洞微;常发冉;李勇;崔素宁;陈伟强 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/102;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王文思
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种周期渐变超晶格宽光谱红外探测器,包括:GaSb衬底(1)、外延片结构及第一金属电极(7)、第二金属电极(8),外延片结构依次包括GaSb缓冲层(2)、P型欧姆接触层(3)、InAs/InAsSb周期渐变超晶格层(4)、N型欧姆接触层(5)和InAs盖层(6),GaSb缓冲层(2)两侧露出部分分别设有第一金属电极(7),InAs盖层(6)两侧分别设有第二金属电极(8),第一金属电极(7)与对应一侧的第二金属电极(8)之间的GaSb缓冲层(2)、InAs盖层(6)表面及P型欧姆接触层(3)、InAs/InAsSb周期渐变超晶格层(4)、N型欧姆接触层(5)的侧表面生长有钝化层。本公开还提供了该红外探测器的制备方法。
搜索关键词: 周期 渐变 晶格 光谱 红外探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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