[发明专利]一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源有效
| 申请号： | 202011394810.1 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112490231B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 栾崇彪;谢卫平;李洪涛;袁建强;马勋;肖金水;刘宏伟 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 张超 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源，包括半导体晶圆片，晶圆片上集成有光导开关和平面辐射天线，通过将SiC光导开关和平面辐射天线集成在同一SiC晶圆上，而且辐射天线为采用离子注入等工艺基于半绝缘SiC材料制作而成，可实现一个高功率微波源单元为贴片式结构，通过触发激光的皮秒同步，并能实现多个高功率微波源单元的功率合成，基于SiC半导体材料高功率容量的优点，可实现单个贴片式结构的高功率微波源单元输出微波功率达到MW量级，具有极大的推广价值和广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic 载流子 寿命 调控 贴片式全 固态 功率 微波 | ||
【主权项】：
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