[发明专利]去疵性评价装置在审
| 申请号： | 202011388521.0 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112928036A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 丹野宁 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供去疵性评价装置，其降低对晶片进行吸引保持的卡盘工作台对去疵性的评价的影响。去疵性评价装置包含：去疵判定单元，其具有向晶片照射激光束的激光束照射单元和向晶片照射微波并接收被晶片反射的微波的反射波的发送接收单元，该去疵判定单元判定包含对晶片进行磨削而生成的磨削应变的去疵层是否具有去疵性；以及卡盘工作台，其利用保持面对该晶片进行保持。卡盘工作台具有：导电性的非金属多孔部件，其构成保持面，具有反射或吸收微波的性质；以及基座部件，其具有向非金属多孔部件传递负压的负压传递路。 | ||
| 搜索关键词： | 去疵性 评价 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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