[发明专利]一种原子层沉积装置及OLED封装方法有效
申请号: | 202011386281.0 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112522683B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 廖良生;朱颖晖;梁舰;祝晓钊;王艳华;冯敏强 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H10K71/00;H10K50/844 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种原子层沉积装置及OLED封装方法。所述原子层沉积腔室包括腔体、工作台和工件挡板,工作台设置在腔体的底部,用于放置工件;腔体的顶部上开设有第一进气口,腔体的侧壁上开设有第二进气口;从第一进气口和第二进气口进入的气体能够分路径扩散至工件的待成膜区,并在工件的待成膜区反应形成膜层;工件挡板间隔设置在工作台的上方,工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区,无孔遮挡区用于遮挡工件的待成膜区,防止腔体内的颗粒物沉积在工件待成膜区,减少工件待成膜区上的颗粒物,提高产品良率。所述OLED封装方法通过应用上述原子层沉积装置,能够减少工件表面颗粒物数量,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 装置 oled 封装 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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