[发明专利]底电极红外探测器结构在审
申请号: | 202011386167.8 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112551477A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 康晓旭;钟晓兰;李铭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种底电极红外探测器结构,包括:设于介质结构内的底电极结构,所述底电极结构包括金属互连层和位于所述金属互连层上的金属通孔;设于所述介质结构表面的反射层;设于所述反射层上微桥结构,所述微桥结构包括微桥桥面及支撑结构,所述微桥桥面包括自下而上依次设置的第一红外敏感层和红外保护层,所述支撑结构包括自内向外依次设置的电极柱、第一功能层和第二红外敏感层。通过第二红外敏感层与反射层形成欧姆接触,有效提升器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 电极 红外探测器 结构 | ||
【主权项】:
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