[发明专利]包括金属层的功率器件在审
| 申请号： | 202011385906.1 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112993036A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李峯龙;康博熙;崔杜溱;朴庆锡;T·内耶尔;杨正佑 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及包括金属层的功率器件。功率半导体器件包括：具有边缘的衬底、设置在衬底上方的绝缘层、设置在绝缘层上方并且包括第一部分和第二部分的金属层、设置在金属层上方的涂覆层以及覆盖衬底、绝缘层、金属层和涂覆层的保护层。第一部分具有第一厚度并且第二部分具有大于第一厚度的第二厚度，并且第二部分设置成比第一部分更远离衬底的边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 金属 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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