[发明专利]一种MOSFET-TFET混合型11T SRAM单元电路在审
| 申请号： | 202011377385.5 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112509621A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 蔺智挺;陈灿;彭春雨;吴秀龙;卢文娟;赵强;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET‑TFET混合型11T SRAM单元电路，包括五个NTFET晶体管，四个PTFET晶体管，两个NMOSFET晶体管，其中：电源VDD和PTFET晶体管P3的源极电连接；PTFET晶体管P3的漏极与PFET晶体管P1的源极电连接；PTFET晶体管P2的漏极分别与NTFET晶体管N2的漏极、NMOSFET晶体管N4的漏极、PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N1的栅极、NTFET晶体管N6的栅极电连接；NTFET晶体管N5的源极、NTFET晶体管N6的源极均与GND电连接。上述电路不仅增强了SRAM单元的写能力，而且降低了电路的静态功耗，提高了保持状态下SRAM单元的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet tfet 混合 11 sram 单元 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学，未经安徽大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011377385.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
