[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极层和绝缘层交替层叠的堆叠层，以及贯穿堆叠层的栅线缝隙，栅线缝隙暴露的衬底中形成有阵列共源掺杂区；在栅线缝隙中填充介质层，介质层中形成有间隙，间隙为真空状态；从衬底的背面形成阵列共源掺杂区的接触。这样，由于栅线缝隙中填充的介质层内形成有间隙，且间隙内为真空状态，使得介质层的击穿电压较大，从而减小相邻栅极之间的漏电风险。同时由于从衬底的背面形成阵列共源掺杂区的接触，无需在高深宽比的栅线缝隙中形成阵列共源掺杂区的接触，栅线缝隙中只需要填充隔离栅极的介质层，从而能够缩小栅线缝隙的特征尺寸。