[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法在审
| 申请号： | 202011367209.3 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112490291A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 巫柏奇;张家玮;张国辉;赵益承 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的覆盖元件。覆盖元件具有上部和下部，并且上部比下部更宽。半导体器件结构还包括位于覆盖元件的侧壁和栅极堆叠件的侧壁上方的间隔元件。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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