[发明专利]非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备在审
| 申请号： | 202011361631.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112885395A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 宋承桓 | 申请（专利权）人： | 赛米布莱恩有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 朴英淑 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备。描述了一种用于在存储器阵列中所选的存储器单元的选择性非易失性存储器编程方法，以减少或避免对未选择的存储器单元的编程干扰。该选择性编程方法包括：将编程脉冲施加到所选择的待编程的存储器单元和未选择的存储器单元，其中，编程脉冲允许未选择的存储器单元在预定范围内变化；使未选择的存储器单元的区域升压；以及设定编程脉冲的阈值时间，其中，阈值时间定义为未选择的存储器单元的浮置栅极与未选择的存储器单元的所升压的区域之间的电压差异的绝对值达到定义的阈值时的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 单元 编程 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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