[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011360285.1 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112467518A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘朝明;王涛;张鹏 | 申请（专利权）人： | 因林光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/12;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215002 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体激光器的制备方法，包括：制备半导体激光器的外延结构，在上接触层远离所述衬底的一侧制备第一电极层，在第一电极层远离衬底的一侧制备牺牲层，刻蚀牺牲层、第一电极层、上接触层和部分上光场限制层形成脊形结构，刻蚀剩余部分上光场限制层和牺牲层形成光栅结构，去除牺牲层，在衬底远离中间外延层的一侧制备第二电极层，对外延结构、第一电极层和第二电极层进行划片、解理、镀膜以及裂片工艺，形成半导体激光器。本发明实施例采用一次外延生长技术，且制备过程简单，有效降低半导体激光器制造成本，实现了光栅的可控制备，可降低器件的接触电阻，有效提升了器件性能和可靠性，有利于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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