[发明专利]激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法在审
申请号: | 202011358086.7 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN114566554A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 王俊;吴坚 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 宋启超 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法,所涉及的制作方法在激光重掺杂步骤之后增加了第二次扩散步骤,如此在太阳能电池的轻掺杂区,第一次扩散步骤中所形成的PSG可以阻止第二次扩散步骤中的磷再次往硅片内部扩散;而在太阳能电池的重掺杂区,由于激光重掺杂步骤会破坏第一次扩散步骤中所形成的PSG,第二次扩散步骤中的磷可以继续往硅片内部扩散,如此相对现有技术能够在重掺杂区形成掺杂浓度更高的重掺杂,以使重掺杂区具有更好的欧姆接触,提升太阳能电池的填充因子;同时第二次扩散步骤还可以修复激光重掺杂时对硅片表面的损伤,进而提高太阳能电池的开路电压。 | ||
搜索关键词: | 激光 掺杂 选择性 发射极 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的