[发明专利]一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011358008.7 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112466950A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 曾传滨;高林春;李晓静;闫薇薇;单梁;李多力;倪涛;王娟娟;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法，该结构通过在体接触区内设置重掺杂区，该重掺杂区的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度，包含体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且重掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，使得体接触有源区局部边缘场氧与埋氧层之间夹角区域的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度，其中，注入窗口露出体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且注入窗口的边缘与栅区之间具有一定的间隔距离。通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，形成抗边缘漏电的BTS型SOI MOS结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边缘 漏电 soi mos 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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