[发明专利]磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构

摘要

本发明提供了一种磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构。该磁性隧道结自由层包括沿第一方向顺序层叠的第一磁性复合层、反铁磁间隔结构和第二磁性复合层，在反铁磁间隔结构的作用下第一磁性复合层与第二磁性复合层呈反铁磁耦合，磁化方向相反。由于上述结构采用多层磁性复合层，在控制磁化方向垂直于薄膜界面的同时，增加磁性层的总体厚度，从而增大器件的数据保持能力。并且，为降低写入电流，上述结构使得不同的磁性复合层磁化方向相反，降低整体结构的总磁矩，从而降低写入电流，实现高的器件耐擦写能力。此外，该结构可获得较高的TMR，提高了数据读取速度。