[发明专利]基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011322843.5 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114530374A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;杜金娟;苏华科;张金风;彭若诗;周弘;张春福;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取金刚石衬底并进行预处理；在所述金刚石衬底表面形成溅射AlON过渡层；在溅射AlON过渡层上依次生长GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及GaN帽层；在GaN帽层上制作金属电极以完成器件的制备。本发明通过在金刚石衬底与GaN缓冲层之间引入溅射AlON过渡层，可以实现在金刚石衬底上直接生长GaN及其异质结构，避免了传统方法中的衬底剥离和键合技术对器件造成的影响，提高了器件性能，且工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 溅射 alon 金刚石 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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