[发明专利]在非均质表面上形成金属的方法及并入非均质表面上的金属的结构在审
申请号: | 202011319883.4 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN112420767A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 陈子华;永军·J·胡;斯瓦普尼尔·伦加德 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L23/528;H01L23/532;H01L45/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及在非均质表面上形成金属的方法及并入非均质表面上的金属的结构。所揭示的技术涉及包含存储器装置的集成电路。一种形成集成电路的方法包括提供包括第一区域及第二区域的表面,其中所述第一区域由不同于所述第二区域的材料形成。所述方法另外包括形成与所述第一区域及所述第二区域接触且跨越所述第一区域及所述第二区域的晶种材料。所述方法进一步包括在晶种材料上形成包括钨的金属。 | ||
搜索关键词: | 非均质 表面上 形成 金属 方法 并入 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的