[发明专利]晶圆自制背封结构的制造方法有效
| 申请号： | 202011319117.8 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112382556B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 闫玉琴;王柯;程刘锁;白旭东;范晓;王函 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆自制背封结构的制造方法，包括如下步骤：步骤S1，在晶圆的背面生长第一薄膜层；步骤S2，将所述晶圆旋转一角度，使旋转后的所述晶圆和晶舟的接触处与旋转前的所述晶圆和晶舟的接触处不重合；步骤S3，在所述晶圆的背面生长第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层组成背封结构。本发明从减少应力集中的角度出发，将现有技术中一步生长背封结构的方式改进为分步生长的方式，并且在第一次生长之后将晶圆进行旋转，从而使得两次生长中晶圆和晶舟的接触处(即晶舟支撑脚在晶圆上的位置)不同，这样可以减小支撑脚处所受的应力强度，从而减小碎片的几率，降低芯片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 自制 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011319117.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：混凝土浇筑预处理传料结构
- 下一篇：晶圆的切割方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
