[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202011316620.8 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112838003A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 出贝求;中谷公彦;中川崇;早稻田崇之;桥本良知 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题为提高蚀刻的控制性。通过将非同时进行下述工序的循环进行规定次数以对基底进行蚀刻：(a)向在衬底的表面露出的基底供给改性剂，在基底的表面形成改性层的工序；和(b)向改性层供给含卤素气体，使改性层与含卤素气体反应以产生含卤素自由基，使该含卤素自由基与基底反应的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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