[发明专利]基于液相外延法生长碳化硅晶体的生长控制方法及系统有效
| 申请号： | 202011314183.6 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112410870B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 薛卫明;马远 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B19/10 | 分类号： | C30B19/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于液相外延法生长碳化硅晶体的生长控制方法及系统，该方法主要包括：在定向籽晶的上方及下方设置至少一组探针组，并施加直流电流；测量探针组之间的电压或电流，来判定结晶界面形貌；改变施加于探针组上直流电流的大小和/或方向，实现精确控制结晶界面形貌的目的，其中：电流方向由熔体流向碳化硅晶体，减缓碳化硅晶体的结晶速度；电流方向由碳化硅晶体流向熔体，加快碳化硅晶体的结晶速度。通过本生长控制方法及系统可实现实时控制结晶界面的目的，以精确控制晶体尺寸；另外，对于晶体尺寸的控制更加精确，工艺程序更加简便；最后，在整个晶体结晶生长过程中，磁场的引入进一步提高了晶体的整体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 外延 生长 碳化硅 晶体 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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