[发明专利]一种MOSFET-TFET混合型的8T SRAM单元电路有效
| 申请号： | 202011309113.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112309459B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 卢文娟;李露;彭春雨;高珊;赵强;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET‑TFET混合型的8T SRAM单元电路，电源VDD和PTFET晶体管P1的源极连接，电源VDD也与PTFET晶体管P2的源极连接；PTFET晶体管P1的漏极与NMOSFET晶体管N5的漏极、PTFET晶体管P2的栅极、NTFET晶体管N2的栅极、NTFET晶体管N1的漏极连接；PTFET晶体管P2的漏极与PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N1的栅极、NTFET晶体管N2的漏极、NMOSFET晶体管N6的源极、NTFET晶体管N4的源极连接。该电路采用TFET器件与MOSFET器件混合的方式，消除了TFET作为SRAM传输管出现的正偏P‑I‑N电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet tfet 混合 sram 单元 电路 | ||
【主权项】：
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