[发明专利]一种LED外延结构及生长方法在审

专利信息
申请号: 202011308870.7 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN112436076A 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 冯磊;徐平;黄胜蓝 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32;C23C16/34
代理公司: 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 代理人: 周晓艳;张勇
地址: 423038 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种LED外延结构,包括衬底以及依次层叠设置在衬底上的第一半导体层、发光层和复合层;复合层包括依次层叠的第二半导体层、超晶格层和保护层;超晶格层包括至少一个超晶格单体;超晶格单体包括依次层叠设置的InGaN层、连接层和Mg3N2层。本发明通过Mg3N2层提高Mg原子浓度,使得空穴的浓度提高,InGaN层能提高空穴的传导效率,加速空穴的移动速率,使得空穴能快速到达发光层与电子复合,连接层能稳固连接InGaN层和Mg3N2层,结构紧凑。本发明还公开了一种LED外延结构的生长方法,包括在衬底上依次生长第一半导体层、发光层和复合层;本发明的生长方法能提高空穴浓度,从而大大提升空穴和电子的复合效率。
搜索关键词: 一种 led 外延 结构 生长 方法
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