[发明专利]碳化硅电池

摘要

本发明提供一种碳化硅电池，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅电池包括：电子选择性接触层、空穴选择性接触层、碳化硅吸收层；电子选择性接触层碳化硅吸收层之间具有第一界面层；和/或，空穴选择性接触层、碳化硅吸收层之间具有第二界面层；第一界面层、第二界面层的材料均选自碱金属、碱土金属、碱金属的卤化物、碱土金属的卤化物中的至少一种。第一界面层和/或第二界面层，钝化金属与碳化硅材料接触区域的缺陷，降低接触界面势垒，降低串联电阻，提升碳化硅电池的光电转换效率。